安世中国高压出海：China for China，更是 China for Global

安世中国的高压布局不止本土生意。那句"China for China, China for Global"，正在高压器件上兑现。

产品端已具全球竞争力。1,200V FS8 IGBT 系列性能优于市面第七代，高压高功率 IGBT 模组迈入 12 英寸量产，这样的产品力是切入全球供应链的入场券。

制造底气来自 12 英寸晶圆：全球首家 12 英寸 Bipolar 量产、中国大陆功率半导体 IDM 首次 12 英寸量产，两项"首次"是技术领先名片。

成本账是全球竞争的核心筹码。12 英寸单片有效芯片产出相对 5 寸提升约 5.7 倍、相对 6 寸约 4 倍、相对 8 寸约 2.2–2.4 倍；单颗芯片成本相比 5 寸降约 70%、6 寸约 60%、8 寸降 50%。降本来自三个环节：规模效应摊薄单位成本；全自动化让良率提升，人为操作减少 90% 以上、连续 30 天良率稳定在 92.7% 以上；供应链本土化消除跨境运费与关税，成本再降 15%–20%。同等品质下价格更优，正是"China for Global"的底气。

供应链稳定是出海的地基。MOSFET、逻辑 IC 已实现中国区供应链闭环，双极晶体管年内完成全链条闭环，国产化率从不足 20% 提升至近 100%，主供加备选双源保障，来料加工模式已服务大众、宝马、博世、比亚迪、特斯拉等客户。

再往未来看，SiC/GaN 宽禁带联合研发与 18 大工艺平台 2027 上半年规模化量产，把版图延伸到下一代。先在中国站住脚，再向全球要份额，安世中国正按这个逻辑稳步展开。

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